Вибори директора
  1. Головна
  2. Структура
  3. Фізико-хімія і технології наноструктурних і функціональних матеріалів
  4. Євтушенко Арсеній Іванович

Євтушенко Арсеній Іванович


Наукові інтереси

  • матеріали функціональної електроніки;
  • дослідження багатошарових структур, гетеропереходів, фотодетекторів, матеріалів для світловипромінюючих діодів та сонячних елементів на основі широкозонних оксидів.

Наукові відзнаки

  • лауреат Премії Президента України для молодих вчених (2014 р.);
  • лауреат Премії Верховної Ради України найталановитішим молодим ученим в галузі фундаментальних і прикладних досліджень та науково-технічних розробок (2016 р.).

Біографія

Коротка бібліографічна інформація:

2005 р. – закінчив Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут» (нині – Національний технічний університет України «Київський політехнічний інститут імені Ігоря Сікорського») і отримав повну вищу освіту за спеціальністю «Мікроелектроніка і напівпровідникові прилади» та здобув кваліфікацію магістра електроніки;
2005 – 2008 рр. – навчання в аспірантурі Інституту проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України;
2008 – 2013 рр. – молодший науковий співробітник Інституту проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України;
2014 – 2015 рр. – науковий співробітник Інституту проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України;
2015 – 2018 рр. – навчання в докторантурі з відривом від виробництва;
2015 – 2019 рр. – старший науковий співробітник Інституту проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України;
2019 р.–дотепер– завідувач відділу фізики і технології фотоелектронних та магніточутливих матеріалів (35 відділ).

Наукові праці:

1)Ievtushenko A. Ultraviolet detectors based on ZnO:N thin films with different contact structures / A. Ievtushenko, G. Lashkarev, V. Lazorenko, V. Karpyna, V. Sichkovskyi, L. Kosyachenko, V. Sklyarchuk, O. Sklyarchuk, V. Bosy, F. Korzhinski, A. Ulyashin, V. Khranovskyy, R. Yakimova // Acta Physica Polonica A. – 2008.– V. 114, Issue 5. – P. 1123 1129 (Scopus).

2)Ievtushenko A.I. High quality ZnO films deposited by radio-frequency magnetron sputtering using layer by layer growth method / A.I.Ievtushenko, V. A. Karpyna, V. I. Lazorenko, G. V. Lashkarev, V. D. Khranovskyy, V. A. Baturin, O. Y. Karpenko, M. M. Lunika, K. A. Avramenko, V. V. Strelchuk, O. M. Kutsay // Thin Solid Films, – 2010. V.518(16). –P. 4529–4532 (Scopus).

3)Ievtushenko A.I. Effect of nitrogen doping on photoresponsivity of ZnO films / A.I.Ievtushenko, G. V. Lashkarev, V. I. Lazorenko, V. A. Karpyna, M. G. Dusheyko, V. M. Tkach, L. A. Kosyachenko, V. M. Sklyarchuk, O. F. Sklyarchuk, K. A. Avramenko, V. V. Strelchuk, Zs. J. Horvath // Phys. Stat. Sol. (а). – 2010. – V. 207, Issue 7. – P. 1746 1750 (Scopus).

4)Kosyachenko L. A. ZnO-based photodetector with internal photocurrent gain/ L. A. Kosyachenko, G. V. Lashkarev, V. M. Sklyarchuk,A.I.Ievtushenko , O. F. Sklyarchuk, V. I. Lazorenko, A. Ulyashin // Phys. Stat. Sol. (a). – 2010. – V. 207, Issue 8. – P. 1972 1977 (Scopus).

5)Ievtushenko A. X-ray photoelectron spectroscopy study of nitrogen and aluminum-nitrogen doped ZnO films / A.Ievtushenko, O. Khyzhun, I. Shtepliuk, V. Tkach, V. Lazorenko, G. Lashkarev // Acta Physica Polonica A. – V. 124, Issue 5. – 2013. – P. 858 861(Scopus).

6)Ievtushenko A. Solar Explosive Evaporation Growth of ZnO Nanostructures / A.Ievtushenko, V. Tkach, V. Strelchuk, L. Petrosian, O. Kolomys, O. Kutsay, V. Garashchenko, O. Olifan, S. Korichev, G. Lashkarev, V. Khranovskyy // Applied Science. – 2017. – V. 7 (4). – P. 383 (Scopus).

7)Ievtushenko A. X-Ray photoelectron spectroscopy study of highly-doped ZnO:Al, N films grown at O-rich conditions / A.Ievtushenko, O. Khyzhun, I. Shtepliuk, O. Bykov, R. Jakiela, S. Tkach, E. Kuzmenko, V. Baturin, О. Karpenko, O. Olifan, G. Lashkarev // Journal of Alloys and Compounds. –2017. – V. 722. – P. 683 689 (Scopus).

8)Ievtushenko A. Effect of Ag doping on the structural, electrical and optical properties of ZnO grown by MOCVD at different substrate temperatures / A.Ievtushenko, V. Karpyna, J. Eriksson, I. Tsiaoussis, I. Shtepliuk, G. Lashkarev, R. Yakimova, V. Khranovskyy, // Superlattices and Microstructures. – 2018. – V. 117. – P. 121 131 (Scopus).

9)Golovynskyi S. High transparent and conductive undoped ZnO thin films deposited by reactive ion-beam sputtering / S. Golovynskyi, A.Ievtushenko, S. Mamykin, M. Dusheiko, I. Golovynska, O. Bykov, O. Olifan, D. Myroniuk, S. Tkach, J. Qu, // Vacuum. – 2018. –V. 153. – P. 204 210 (Scopus).

10)Ievtushenko A. The effect of Zn3N2 phase decomposition on the properties of highly-doped ZnO:Al, N films / A.Ievtushenko, O. Khyzhun, V. Karpyna, O. Bykov, V. Tkach, V. Strelchuk, O. Kolomys, S. Rarata, V. Baturin, О. Karpenko, G. Lashkarev // Thin Solid Films. – 2019. – V. 669. – P. 605 612 (Scopus).

Публікації