Формування нікель-платинового силіцидного шару в якості бар’єрного для діода Шоттки

П.В.Кучинський,

Ф.Ф.Комаров,

О.В.Мільчанін,

Т.Б.Ковалева,

В.А.Солодуха,

А.С.Турцевіч,

Я.А.Соловьєв,

С.В.Гапоненко

Електричні контакти та електроди - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2014, #12
http://www.materials.kiev.ua/article/1154

Анотація

Запропоновано новий метод формування бар’єра Шоттки, який включає магнетронне нанесення з многокомпонентної мішені, що має в складі ванадій, платину та нікель, тонкої плівки на кремнії з наступною ступеневою термообробкою. З використанням данного методу виготовлено діоди Шоттки з высотою бар’єру 0,69—0,71 В. Встановлено, що бар’ерний шар складається з сіліцидної фази Ni_1-xPt_xSi. Повний текст

ВИСОТА БАР'ЄРУ ШОТТКІ, МАГНЕТРОННЕ НАНЕСЕННЯ, СИЛІЦИДИ НІКЕЛЮ, СИЛІЦИДИ ПЛАТИНИ, ТОНКІ ПЛІВКИ

Формування нікель-платинового силіцидного шару в якості бар’єрного для діода Шоттки

П.В.Кучинський, Ф.Ф.Комаров, О.В.Мільчанін, Т.Б.Ковалева, В.А.Солодуха, А.С.Турцевіч, Я.А.Соловьєв, С.В.Гапоненко

Анотація

Публікації

П.В.Кучинський,

Ф.Ф.Комаров,

О.В.Мільчанін,

Т.Б.Ковалева,

В.А.Солодуха,

А.С.Турцевіч,

Я.А.Соловьєв,

С.В.Гапоненко