Конференції

ВПЛИВ НЕОДНОРIДНОЇ ДЕФОРМАЦІЇ НА ЕЛЕКТРОННУ СТРУКТУРУ ФАЗ SnO2 І SnxSb1–xO2

 
Б.М.Рудь,
 
А.Г.Гончар,
  
О.О.Бутенко
 

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Омеляна Пріцака, 3, Київ, 03142, Україна
Порошкова металургія - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2012, #05/06
http://www.materials.kiev.ua/article/1044

Анотація

Досліджено електронну структуру різних фаз системи Sn–Sb–O2 під тиском, а також під впливом тетрагональної, орторомбічної і моноклінної деформацій. Розрахунки проведено з використанням першопринципного методу псевдопотенціалу. Показано, що SnO2 демонструє ряд фазових перетворень під тиском: рутил–пірит (17 ГПа) і пірит–флюорит (138 ГПа). Виявлено, що легування SnO2 сурмою призводило до зміщення рівня Фермі в смугу провідності та до появи додаткових резонансних станів нижче валентної смуги. Неоднорідне деформування структур SnxSb1–xO2, х = 1,00; 0,94; 0,88 при δ ≤ 0,2, створює напруженість в системі до 6,2 ГПа в залежності від деформації. Проаналізовано щільність електронних станів в області енергетичної щілини деформованих структур. Показано, що енергетична щілина розширюється при тетрагональних і звужується при орторомбічній і моноклінній деформаціях. Отримані теоретичні результати повинні враховуватись, зокрема, для інтерпретації тензорезистивних властивостей товстих плівок на основі Sn–Sb–O2.


МЕХАНІЗМИ СТАБІЛІЗАЦІЇ МЕТАСТАБІЛЬНИХ ФАЗ, МОЛЕКУЛЯРНА ДИНАМІКА, ФАЗИ ВИСОКОГО ТИСКУ, ФАЗОВІ ПЕРЕХОДИ