Високотемпературне та електрохімічне окиснення тонких плівок NiSi та NiSi2
Анотація
Вивчено високотемпературне та анодне окиснення тонких плівок NiSi та NiSi2, одержаних методом термічного відпалу плівки Ni на монокристалічному кремнію. Як за високотемпературного, так і за анодного окиснення тонких плівок NiSi та NiSi2 на їх поверхнях утворюється тонкий шар SiO2, що має захисні властивості. Початок високотемпературного окиснення плівок NiSi відбувається при температурі 930 К, що на 100 К нижче початку окиснення плівок NiSi2. З підвищенням температури приріст маси плівок NiSi більший, ніж у плівок NiSi2, і при 1273 К ця різниця складає 3 рази, що пояснюється відмінністю їх структури та стехіометрії. Показано, що стійкість плівок до електрохімічної корозії зростає в ряду: Ni —> NiSi —> NiSi2.
Порошкова металургія - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2013, #09/10
http://www.materials.kiev.ua/article/895