Конференції

Електронні властивості поверхонь (111) і (0001) в кристалах ZnTe, ZnS, CdTe із структурою сфалериту і вюртциту

С.М.Зубкова,
 
Л.М.Русіна,
  

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Омеляна Пріцака, 3, Київ, 03142, Україна
Математичні моделі і обчислювальний експеримент в матеріалознавстві - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2013, #15
http://www.materials.kiev.ua/article/787

Анотація

Для полярних поверхонь (111) і (0001) в кристалах типу А2B6 із структурою сфалериту і вюртциту: ZnTe, ZnS, CdTe досліджено зонну структуру, локальну густину електронних станів (повну і пошарову), а також розподіл зарядової густини валентних електронів (3D графіки та контурні карти). Окремо розглянуто властивості поверхонь, що закінчуються аніоном і катіоном. Чисельний розрахунок для кристалів типу сфалериту проведено самоузгодженим "тривимірним" методом псевдопотенціалу в рамках моделі шаруватої надгратки з використанням авторської програми. У процесі самоузгодження застосовано оригінальний ітератор, що дозволив подолати труднощі, обумовлені наявністю у разі поверхні векторів оберненої гратки, менших 1 ат. од. Для розрахунків в кристалах типу вюртциту використано програмний пакет ESPRESSO.


ВЮРТЦИТ, ГУСТИНА ЕЛЕКТРОННИХ СТАНІВ, ЗАРЯДОВА ГУСТИНА, ЗОННА СТРУКТУРА, МЕТОД ПСЕВДОПОТЕНЦІАЛУ, ПОЛЯРНА ПОВЕРХНЯ, СФАЛЕРИТ, ШАРУВАТА НАДГРАТКА