Вибори директора
  1. Головна
  2. Публікації
  3. Математичні моделі і обчислювальний експеримент в матеріалознавстві
  4. № 11 2009 рік
  5. C. 69

Електронна структура (111) – поверхні в ковалентних кристалах типу А3В5 і А2В6: ZnSe, GaAs.

Т.М.Горкавенко,
 
С.М.Зубкова,
 
Л.М.Русіна,
 
В.Л.Бекеньов
 

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Омеляна Пріцака, 3, Київ, 03142, Україна
Математичні моделі і обчислювальний експеримент в матеріалознавстві - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2009, #11
http://www.materials.kiev.ua/article/306

Анотація

Для полярної поверхні (111) в ковалентних кристалах типу А3В5 і А2В6: ZnSe, GaAs вперше досліджені єлектронна зонна структура, локальна щільність станів (повна та в окремих шарах), а також розподіл зарядової щільності. Окремо розглядаються властивості поверхонь, що закінчуються катіоном та аніоном. Розрахунок проведено за розробленою авторами програмою самоузгодженого методу псевдопотенціалу в рамках моделі шаруватої надгратки. В процесі самоузгодження використовується оригінальний ітератор, який дозволяє подолати труднощі, пов’язані в разі поверхні з наявністю малих векторів оберненої гратки.


Публікації