ПЕРЕОХЛАЖДЕНИЕ ПРИ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ ПЛЕНОК ВИСМУТА НА ГЕРМАНИЕВОЙ ПОДЛОЖКЕ

Анотація

Исследованы механизм конденсации в пленочной системе Bi—Ge и изменение электрического сопротивления в слоистой пленочной системе Ge—Bi—Ge в ходе циклов нагрев—охлаждение. Определены величина переохлаждения при кристаллизации висмута в контакте с аморфным и поликристаллическим германием — 94 K и угол смачивания в островковых пленках висмута на аморфной германиевой подложке — 68?. Полученные результаты хорошо согласуются с имеющимися данными по обобщенной зависимости величины переохлаждения от угла смачивания для других контактных систем.