Теоретичне вивчення атомної та електронної структури поверхні (111) в кристалах ZnSe і CdSe

Анотація

Вперше проведено ab initio розрахунки атомної та електронної структури 4-х варіантів полярних поверхонь ZnSe і CdSe (111)–(2 x 2), що закінчуються катіоном: ідеальної, релаксованої, реконструйованої і релаксованої після реконструкції. У наближенні шаруватої надгратки поверхню моделювали плівкою товщиною 12 атомних шарів і вакуумним проміжком ~1,6 нм. Для замикання обірваних зв’язків Se на протилежному боці плівки додано 4 фіктивних атома водню з зарядом 0,5 електрона кожен. Ab initio розрахунки проведено з використанням програми QUANTUM ESPRESSO, заснованої на теорії функціонала щільності. Показано, що релаксація призводить до розщеплення атомних шарів. Для 4-х варіантів поверхні розраховано і проаналізовано зонні структури, а також повні і пошарові щільності електронних станів.