МЕХАНIЗМ ВИСОКОТЕМПЕРАТУРНОГО ОКИСНЕННЯ КОМПОЗИЦIЙНОЇ КЕРАМIКИ НА ОСНОВI ZrB₂ СИСТЕМИ ZrB₂–SiC–AlN

Анотація

Досліджено процес окиснення при високих температурах (1550–1700 °С) композиційного матеріалу системи ZrB₂–SiC–AlN, вивчено структуру та фазовий склад вихідної кераміки та окалини. Встановлено двостадійний процес зародження оксидного шару. На низькотемпературній стадії (1170–1250 °С) утворюється проміжний шар на основі ZrB₂ за участю твердих розчинів системи AlON–SiC/SiO₂. На високотемпературній стадії (1250–1350 °С) утворюється основний захисний шар, що складається з мулітних твердих розчинів системи xAl₂O₃–ySiO₂ та колоній кристалів оксиду цирконію, розміщених по границях зерен мулітної фази. Оксидний шар, що утворюється при окисненні, є потенційним бар’єром, який запобігає процесу дифузії кисню у об’єм зразка.