Конференції

Першопринципове вивчення атомної та електронної структури полярної поверхні CdTe(111)B-(2√3x4) орт.

С.М.Зубкова,
  

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Омеляна Пріцака, 3, Київ, 03142, Україна
Математичні моделі і обчислювальний експеримент в матеріалознавстві - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2016, #18
http://www.materials.kiev.ua/article/2125

Анотація

Вперше проведено ab initio розрахунки атомної та електронної структури чотирьох варіантів полярної поверхні СdTe(111)B-(2√3 x 4)) орт., що закін-чується Te: ідеальної, релаксованої, реконструйованої та реконструйованої з подальшою релаксацією. У наближенні шаруватої надгратки поверхню моделю-вали плівкою товщиною 12 атомних шарів і вакуумним проміжком ~1,6 нм. Для замикання обірваних зв’язків Cd на протилежній стороні плівки додавалися 24 фіктивних атома водню із зарядом 1,5 електрона кожен. Ab initio розрахунки виконано з використанням програми QUANTUM ESPRESSO, заснованої на теорії функціоналу щільності. Показано, що релаксація призводить до розщеплення верхніх чотирьох шарів. Для чотирьох варіантів поверхні розраховано і проаналізовано зонні структури, а також повні і пошарові щільності електронних станів.


ЗОННА СТРУКТУРА, ПОЛЯРНА ПОВЕРХНЯ, РЕКОНСТРУКЦІЯ, РЕЛАКСАЦІЯ, ЩІЛЬНІСТЬ СТАНІВ