Конференції

ТЕРМОДИНАМІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ СИЛІЦИДІВ ГОЛЬМІЮ HoSi1–x, Ho5Si4 І Ho5Si3

Л.В.Гончарук,
 
В.Р.Сидорко,
 
Ю.І.Буянов
 

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Омеляна Пріцака, 3, Київ, 03142, Україна
Порошкова металургія - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2010, #11/12
http://www.materials.kiev.ua/article/1698

Анотація

Методом вимірювання електрорушійних сил гальванічних елементів визначено енергії Гіббса, ентальпії та ентропії утворення силіцидів гольмію HoSi1–x(HoSi0.98), Ho5Si4 та Ho5Si3 із твердих компонентів в температурному інтервалі 760–970 К. Максимальна термодинамічна стабільність спостерігається у силіциду Ho5Si3, який є найбільш тугоплавким в системі Ho–Si. Високотемпературні термодинамічні характеристики утворення силіцидів гольмію одержано вперше.


ГОЛЬМІЙ, ЕНЕРГІЯ ГІББСА, ЕНТАЛЬПІЯ, ЕНТРОПІЯ УТВОРЕННЯ, КРЕМНІЙ, ТЕРМОДИНАМІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ