Високотемпературне та електрохімічне окиснення тонких плівок NiSi та NiSi₂

Анотація

Вивчено високотемпературне та анодне окиснення тонких плівок NiSi та NiSi₂, одержаних методом термічного відпалу плівки Ni на монокристалічному кремнію. Як за високотемпературного, так і за анодного окиснення тонких плівок NiSi та NiSi₂ на їх поверхнях утворюється тонкий шар SiO₂, що має захисні властивості. Початок високотемпературного окиснення плівок NiSi відбувається при температурі 930 К, що на 100 К нижче початку окиснення плівок NiSi₂. З підвищенням температури приріст маси плівок NiSi більший, ніж у плівок NiSi₂, і при 1273 К ця різниця складає 3 рази, що пояснюється відмінністю їх структури та стехіометрії. Показано, що стійкість плівок до електрохімічної корозії зростає в ряду: Ni —> NiSi —> NiSi₂.