Модель росту оксидного шару на Si3N4- та SiC-кераміках: неоднорідна кристалізація SiO2 із зміненням об”єму

   
Р.І.Бугаєнко
 

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Омеляна Пріцака, 3, Київ, 03142, Україна
Математичні моделі і обчислювальний експеримент в матеріалознавстві - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2001, #05
http://www.materials.kiev.ua/article/69

Анотація