Застосування результатів імітаційного моделювання структуроутворення високобористих сполук на атомному рівні для оцінки їхньої хімічної твердості

   
В.М.Данилюк
 

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , Київ
rzh.natali@gmail.com
Usp. materialozn. 2020, 1:8-16
https://doi.org/10.15407/materials2020.01.008

Анотація

За результатами імітаційного моделювання еволюції фрагментів структури бору, боридів алюмінію і магнію квантово-хімічними методами з перших принципів в рамках кластерного підходу розраховано значення хімічної твердості за Віккерсом розглянутих матеріалів. Розрахунки виконано з використанням програмного комплексу Gaussian`03 у рамках теорії функціонала електронної густини в наближенні B3LYP / STO-3G. 


Завантажити повний текст

БОР, БОРИДИ, КЛАСТЕРНА МОДЕЛЬ, ТВЕРДІСТЬ ЗА ВІККЕРСОМ

Посилання

1. Frisch M.J., Trucks G.W., Schlegel H.B., Scuseria G.E., Robb M.A., Cheeseman J.R., Montgomery J.A., Vreven Jr.T., Kudin K.N., Burant J.C., Millam J.M., Iyengar S.S., Tomasi J., Barone V., Mennucci B., Cossi M., Scalmani G., Rega N., Petersson G.A., Nakatsuji H., Hada M., Ehara M., Toyota K., Fukuda R., Hasegawa J., Ishida M., Nakajima T., Honda Y., Kitao O., Nakai H., Klene M., Li X., Knox J.E., Hratchian H.P., Cross J.B., Adamo C., Jaramillo J., Gomperts R., Stratmann R.E., Yazyev O., Austin A.J., Cammi R., Pomelli C., Ochterski J.W., Ayala P.Y., Morokuma K., Voth G.A., Salvador P., Dannenberg J.J., Zakrzewski V.G., Dapprich S., Daniels A.D., Strain M.C., Farkas O., Malick D.K., Rabuck A.D., Raghavachari K., Foresman J.B., Ortiz J.V., Cui Q., Baboul A.G., Clifford S., Cioslowski J., Stefanov B.B., Liu G., Liashenko A., Piskorz P., Komaromi I., Martin R.L., Fox D.J., Keith T., Al-Laham M.A., Peng C.Y., Nanayakkara A., Challacombe M., Gill P.M.W., Johnson B., Chen W., Wong M.W., Gonzalez C. and Pople J.A. Gaussian 03. Revision B.03. Gaussian. Inc. Pittsburgh PA, 2003. 354 р. 15

2. Лисенко А.А., Бекенев В.Л., Роженко Н.Н., Дьячков П.Н., Силенко П.М. Квантово- химическое моделирование геометрии, стабильности, электронной структуры и колеба- тельных спектров фуллереноподобных клеток, димеров и нанопровода на основе SiC. Наноструктуры. Математическая физика и моделирование. 2010. Т. 2, № 2. С. 43—55.

3. Илюшин Г.Д. Моделирование процессов самоорганизации в кристаллообразующих системах. М.: Эдиториал УРСС, 2003. 376 с.

4. Лисенко А.А., Огородников В.В., Картузов В.В. Первопринципное моделирование сегментации нанокластеров Ti 14 C 13 и Ti 13 C 14 . Математические модели и вычислительный эксперимент в материаловедении. К.: Ин-т пробл. материаловедения НАН Украины. 2014. Вып. 16. С. 80—91.

5. Картузов В.В., Роженко Н.Н. Имитационное моделирование процессов самоорга- низации базовых структурных единиц в высокобористых соединениях. Математи- ческие модели и вычислительный эксперимент в материаловедении. К.: Ин-т пробл. материаловедения НАН Украины. 2017. Вып. 19. C. 90—99.

6. Lisenko A.A., Bekenev V.L., Ogorodnjkov V.V., Kartuzov V.V. Computer simulation of high entropy multi-component alloys within cluster approach. Математические модели и вычислительный эксперимент в материаловедении. К.: Ин-т пробл. материало- ведения НАН Украины. 2012. Вып. 14. C. 134—141.

7. Муханов В.А., Куракевич А.А., Соложенко В.Л. Взаимосвязь твердости и сжимаемости веществ с их строением и термодинамическими свойствами. Сверхтвердые материалы. 2008. № 6. С. 10—22.

8. Mukhanov V.A., Kurakevych O.O., Solozhenko V.L. Thermodynamic model of hardness: Particular case of boron-rich solids. Sverhtverdye materialy. 2010. No. 3. P. 33-45.
https://doi.org/10.3103/S1063457610030032

9. Boustani L. Structure and stability of small boron clusters. A density functional theoretical study. Chem. Phys. Lett. 1995. Vol. 240. P. 135-140: doi: 
https://doi.org/10.1016/0009-2614(95)00510-B

10. Niu J., Rao B.K., Jena P. Atomic and electronic structures of neutral and charged boron and boron-rich clusters. J. Chem. Phys. 1997. Vol. 107. P. 132-140: doi: 
https://doi.org/10.1063/1.474360

11. Ohishi Y., Kimura K., Yamaguchi M. Energy barrier of structure transition from icosahedral B12H6+ to planar B12H5+ and B12H4+ clusters. J. Phys.: Conf. Ser. 2009. Vol. 176. P. 012030-012036.
https://doi.org/10.1088/1742-6596/176/1/012030

12. Цагарейшвили Г.В., Тавадзе Ф.Н. Полупроводниковый бор. М.: Наука, 1978. 78 с. 3. Синтетические сверхтвердые материалы: В 3 т. T. 1. Синтез сверхтвердых матери алов. К.: Наук. думка, 1986. 280 с.