Моделювання тертя ковзання між пластинами а-SiC, нк-SiC та к-Si

Анотація

Приведено результати моделювання методом молекулярної динаміки тертя в системах a-SiC/a-SiC, a-SiC/к-C, нк-SiC/к-C та к-Si/к-C в залежності від температури та інтенсивності притискування поверхонь тертя. Виявлено утворення специфічної мікроструктури поверхонь тертя.