ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ВИСОКОПОГЛИНАЮЧОЇ КЕРАМІКИ НА ОСНОВІ СИСТЕМИ AlN–SiC

Анотація

Проведено порівняння електрофізичних характеристик на частоті 10,3 ГГц двох сильнопоглинаючих композиційних матеріалів на основі системи AlN–SiC. Для оцінки діелектричної проникності і тангенса діелектричних втрат таких сильнопоглинаючих матеріалів використано хвилеводний метод з частковим заповненням хвилеводу. Встановлено залежність електрофізичних властивостей зразків від їх фазового складу, співвідношення непровідних і провідних фаз, а також характеру розподілу цих фаз у мікроструктурі. Вміст основних фаз у зразках 1 і 2 композиційних матеріалів становить 57,2AlN–37,9SiC–4,9Y₃Al₅O₁₂ і 42,3AlN–49,9SiC–7,8Y₃Al₅O₁₂ відповідно; також вони містять незначну кількість карбіду титану, сіалону й інших добавок. Виявлено, що в кристалічній структурі композиційних матеріалів практично не утворюються тверді розчини між AlN і SiC. Показано відповідність значень питомого опору композитів на постійному струмі результатам високочастотних вимірювань. Досліджувані матеріали 1 і 2 характеризуються, відповідно, тангенсом діелектричних втрат 0,30 і 0,49; дійсною частиною діелектричної проникності ε' = 33,4 и 60; уявною частиною діелектричної проникності ε'' = 10,1 і 29,5; питомим опором при напрузі 1 В, що складає 3,78 • 10⁸ і 8,90 • 10⁵ Ом • см.