ПОРІВНЯЛЬНИЙ АНАЛІЗ БУДОВИ ДІАГРАМ СТАНУ ТРЬОХКОМПОНЕНТНИХ СИСТЕМ Ti–РЗМ–{Si, Ge, Sn, Ga}

Анотація

Проведено порівняльний аналіз будови діаграм стану систем Ті–РЗМ–p-елемент у концентраційній області до 40% (ат.) p-елемента. Показано, що ознакою, яка відрізняє ряди систем, є наявність двофазних рівноваг R₅X₃ + (Ti) і Ti₅X₃ + (R). За цими ознаками системи поділено на три типи. Встановлено, що належність системи до певного типу визначається відносною термодинамічною стабільністю сполук R₅X₃ і Ti₅X₃. Запропоновано фактор δ = Δ_fН [R₅X₃]/Δ_fН [Ti₅X₃], який дозволив зробити прогноз характеру будови діаграм стану раніше не досліджених систем Ti–РЗМ–{Si, Ge, Sn, Ga}. Якщо δ < 1, характер рівноваг визначається фазою Ti₅X₃ і система належить до типу 1. Найбільш характерною топологічною ознакою систем цієї групи є двофазна рівновага Ti₅X₃ + (R). Якщо δ > 1, характер рівноваг визначається фазою R₅X₃. Система належить до типу 2, а її топологічна ознака — двофазна рівновага R₅Х₃ + (Ті). При δ ≈ 1 фази Ti₅Х₃ та R₅Х₃ рівною мірою визначають характер рівноваг, система належить до типу 3, а її топологічна ознака — відсутність рівноваг Ті₅Х₃ + (R) та R₅X₃ + (Ті), натомість наявність рівноваг (Ті) + τ та (R) + τ.