Комп’ютерне моделювання зонального уособлення в шарі Ni при спіканні багатошарових керамічних конденсаторів

Д.І.Барановський,
   

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Омеляна Пріцака, 3, Київ, 03142, Україна
Математичні моделі і обчислювальний експеримент в матеріалознавстві - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2016, #18
http://www.materials.kiev.ua/article/2128

Анотація

Розглянуто проблему суцільності шарів Ni під час спікання багатошарових керамічних конденсаторів. На базі континуальної теорії спікання біпористих матеріалів змодельовано процес усадки шарів нікелю, закріплених між шарами титанату барію. Встановлено, що при спіканні шару нікелю відбувається зростання неоднорідності пористої структури. Виявилось також, що, незважаючи на початкову однорідність середньої густини, в ході спікання виникає та посилюється мікронеоднорідність поля густини.


АГЛОМЕРОВАНІ НАНОПОРОШКИ, БАГАТОШАРОВІ КЕРАМІЧНІ КОНДЕНСАТОРИ, БІПОРИСТИЙ МАТЕРІАЛ, СПІКАННЯ