Конференції

ФІЗИКО-ХІМІЧНІ ОСОБЛИВОСТІ СИНТЕЗУ НАНОСТРУКТУРОВАНОГО SіС В УМОВАХ НЕІЗОТЕРМІЧНОГО НАГРІВУ З ВИКОРИСТАННЯМ ПОПЕРЕДНЬОЇ ГІДРОТЕРМАЛЬНОЇ ОБРОБКИ РИСОВОГО ЛУШПІННЯ
II. ОДЕРЖАННЯ SіC БЕЗ ДОМІШКИ ВУГЛЕЦЮ

С.Ф.Корабльов,
 
Д.С.Корабльов
 

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Омеляна Пріцака, 3, Київ, 03142, Україна
Порошкова металургія - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2015, #03/04
http://www.materials.kiev.ua/article/1925

Анотація

Встановлено, що отриманий карбідізацією рисового лушпиння SiC неминуче містить вуглець, який не прореагував, так як співвідношення С/SiО2 у вихідній шихті перевищує стехіометричне на 36%. Запропоновано два способи отримання SiC без домішки вуглецю: перший полягає в проведенні додаткового окисного відпалу при температурі 770 °С, а другий — у введенні додаткової кількості SiО2 у вигляді силікату натрію в процес гідротермальної карбонізації.


ГІДРОТЕРМАЛЬНА ОБРОБКА, КАРБІД КРЕМНІЮ, НАДЛИШКОВИЙ ВУГЛЕЦЬ, ОКИСЛЮВАЛЬНИЙ ВІДПАЛ, РИСОВЕ ЛУШПИННЯ