Вплив потенціалу зміщення на властивості Si – C – N плівок, отриманих на кремнії плазмохімічним методом із гексаметилдісилазану

 

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Омеляна Пріцака, 3, Київ, 03142, Україна
Наноструктурне матеріалознавство - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2014, #3-4
http://www.materials.kiev.ua/article/1656

Анотація

Досліджено вплив величини негативного зміщення на властивості тонких плівок Si–C–N, отриманих на кремнії плазмохімічним методом із гексаметилдисилазану. Установлено, що плівки, осаджені при різних значеннях зміщення, є рентгеноаморфними навіть після додаткового відпалу у вакуумі за температури 1000 °С. Із підвищенням напруги зміщення прискорюється осадження плівки, несуттєво знижується її шорсткість, збільшується кількість зв’язків Si–C за рахунок зменшення кількості зв’язків Si–O, що проявляється в зростанні нанотвердості та модуля пружності плівок Si–C–N.


ГЕКСАМЕТИЛДІСИЛАЗАН, КРЕМНІЄВАЯ ПІДКЛАДКА, НАНОІНДЕНТУВАННЯ, НАНОТВЕРДІСТЬ, НЕГАТИВНЕ ЗМІЩЕННЯ, ПЛАЗМОХІМІЧНИЙ МЕТОД, ТОНКА ПЛІВКА SI-C-N