Електричні та фотоелектричні властивості гетеропереходів α-SiCN/c-SiА

Анотація

Встановлено домінуючі механізми перенесення заряду в гетеропереходах a-SiCN/c-Si в інтервалі температур 196 - 353 0К, виготовлених плазмохімічним способом при порівнянно низьких (Т < 300 °С) температурах осадження аморфних шарів a-SiCN на кристалічні підкладки с-Si з дірковим типом провідності. З’ясовано роль гетеро мережі у механізмах перенесення зарядів та фоточутливості гетеропереходів. Виконано оцінки основних електрофізичних параметрів шарів a-SiCN. показано, що прямі ВАХ пояснюються у межах теорії моно полярної інжекції з рівномірним розподілом пасток за енергією. Зворотні ВАХ, зумовлені вкладом генераційно-рекомбінаційної та тунельно- рекомбінаційної компонент. Фото чутливість гетеропереходів пояснюється локалізацією активної області виключно в p-Si. Ключові слова: аморфні шари SiCN, гетеропереходи, фоточутливість, механізми перенесення заряду.