Конференції
  1. Головна
  2. Структура
  3. null
  4. Публікація

Оптоелектронні властивості плазмохімічних SiCN плівок

А.О.Козак,
 
О.К.Порада,
 
Л.А.Іващенко,
 
В.І.Іващенко,
 
Т.В.Томила,
 
† В.Я.Малахов
 

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Омеляна Пріцака, 3, Київ, 03142, Україна
Матеріали ІІ Міжнародної науково-практичної конференції «Напівпровідникові матеріали, інформаційні технології та фотовольтаїка», Кременчук, Україна, 22-24 Травня, 2013, 2013
http://www.materials.kiev.ua/article/1639

Анотація

Досліджені SiCN плівки, отримані методом PECVD (plasma enhanced chemical vapor deposition) із гексаметилдісилазану (HMDSN) в якості прекурсора [1,2]. Вивчено вплив додаткового азоту в реакційній камері на oптоелектронні властивості плівок. Плівки охарактеризовано за допомогою інфрачервоної спектроскопії та спектрів фотолюмінесценції. Також вивчені механічні властивості плівок, а саме, нанотвердість і модуль пружності в залежності від потоку азоту. Основні параметри осадження плівок такі. Температура підкладки не вище 450°С. Потужність розряду (PW) ВЧ (40,68 МГц) плазми – 20 Вт. Негативне зміщення на підкладці – 200 V. Товщини отриманих плівок становили 0,5-0,6 мкм.


FTIR, PECVD, SI-C-N ПЛІВКИ, ГЕКСАМЕТИЛДІСИЛАЗАН, ОПТИЧНІ СПЕКТРИ

Публікації