Вплив неоднорідною деформації на електронну структуру SnO₂ та Sn_xSb_1-xO₂ фаз

Анотація

Вивчені електронні структури різних фаз в системі Sn-Sb-O₂ під тиском і під дією тетрагональної, моноклінної і ромбічної деформації. Розрахунки виконані з використанням перших принципів методу псевдопотенціалу. Встановлено, що SnO₂ зазнає наступні фазові переходи під тиском:: рутил-піриту (17 ГПа) і пірит-флюориту (138 ГПа). Також встановлено, що легування SnO₂ з Sb приводить до зрушення рівня Фермі в зону провідності і до додаткових резонансних станів нижче валентної зони. Неоднорідна деформація Sn_x Sb_1-х О₂, х = 1,00; 0,94; 0,88, при б ≤ 0,2 викликає напругу до 6,2 ГПа, в залежності від штаму. Аналіз щільності електронних станів у забороненій зоні деформованих структур показує, що розрив розширюється при тетрагональній деформації і звужується під дією ромбічної і моноклінної деформації. Отримані теоретичні результати слід брати до уваги при інтерпретації п'єзорезистивного властивостей Sn-Sb-O₂ на основі товстих плівок.