МІКРОСТРУКТУРА І ЕЛЕКТРОПРОВІДНІСТЬ КОМПОЗИТІВ Si₃N₄ - TiO₂ (TiH₂), ОХОЛОДЖЕННИХ З РІЗНОЮ ШВИДКІСТЮ ПІСЛЯ ГАРЯЧОГО ПРЕСУВАННЯ

Анотація

Встановлено, що регулюванням швидкості охолодження після гарячого пресування можна впливати на процеси кристалізації й аморфізації композита Si₃N₄ - TiO₂ (TiH₂). Критична швидкість охолодження становить 30 град/хв для композитів Si₃N₄ –TiO₂ і 50 град/хв для композитів Si₃N₄ –TiH₂. Показано, що електропровідність реагує на еволюцію мікроструктури композиту внаслідок виникнення дефектних рівнів глибиною залягання (0,4–1,3) ± 0,05 еВ, різною у взаємно перпендикулярних напрямках. Найкращий комплекс властивостей мають композити, які характеризуються одним дефектним рівнем глибиною залягання 0,8 ± 0,05 еВ. Дефект, ймовірно, належить тонкому шару аморфного кремнію. Зважаючи на малу чутливість механічних властивостей до зміни технологічних параметрів температурної обробки композиту (швидкості охолодження) і високу чутливість до них електропровідності, висловлено припущення, що утворені дефекти, найвірогідніше, мають характер точкових дефектів або асоціації точкових дефектів.