Першопринципове вивчення атомної та електронної структури полярної поверхні СdTe(111)А–(2 х 2)

С.М.Зубкова,
  

Інститут проблем матеріалознавства ім. І. М. Францевича НАН України , вул. Омеляна Пріцака, 3, Київ, 03142, Україна
Математичні моделі і обчислювальний експеримент в матеріалознавстві - Київ: ІПМ ім.І.М.Францевича НАН України, 2015, #17
http://www.materials.kiev.ua/article/1490

Анотація

Вперше проведено ab initio розрахунки електронної структури 4-х варіантів полярної поверхні СdTe(111)А–(2 х 2), що закінчується Cd: ідеальної, релаксованої, реконструйованої з вакансією іона Cd і реконструйованої з подальшою релаксацією. У наближенні шаруватої надгратки поверхня моделювалася плівкою товщиною 12 атомних шарів і вакуумним проміжком ~1,6 нм. Для замикання обірваних зв’язків Te на протилежній стороні плівки додавалися 4 фіктивних атома водню із зарядом 0,5 електрона кожен. Ab initio pозрахунки проводили з використанням програми QUANTUM ESPRESSO, заснованої на теорії функціоналу щільності. Показано, що релаксація приводить до розщеплення шарів. Для 4-х варіантів поверхні розраховано і проаналізовано зонні структури, а також повні і пошарові щільності електронних станів.


ЗОННА СТРУКТУРА, ПОЛЯРНА ПОВЕРХНЯ, РЕКОНСТРУКЦІЯ, РЕЛАКСАЦІЯ, ЩІЛЬНІСТЬ СТАНІВ