ВПЛИВ НЕОДНОРIДНОЇ ДЕФОРМАЦІЇ НА ЕЛЕКТРОННУ СТРУКТУРУ ФАЗ SnO₂ І Sn_xSb_1–xO₂

Анотація

Досліджено електронну структуру різних фаз системи Sn–Sb–O₂ під тиском, а також під впливом тетрагональної, орторомбічної і моноклінної деформацій. Розрахунки проведено з використанням першопринципного методу псевдопотенціалу. Показано, що SnO₂ демонструє ряд фазових перетворень під тиском: рутил–пірит (17 ГПа) і пірит–флюорит (138 ГПа). Виявлено, що легування SnO₂ сурмою призводило до зміщення рівня Фермі в смугу провідності та до появи додаткових резонансних станів нижче валентної смуги. Неоднорідне деформування структур Sn_xSb_1–xO₂, х = 1,00; 0,94; 0,88 при δ ≤ 0,2, створює напруженість в системі до 6,2 ГПа в залежності від деформації. Проаналізовано щільність електронних станів в області енергетичної щілини деформованих структур. Показано, що енергетична щілина розширюється при тетрагональних і звужується при орторомбічній і моноклінній деформаціях. Отримані теоретичні результати повинні враховуватись, зокрема, для інтерпретації тензорезистивних властивостей товстих плівок на основі Sn–Sb–O₂.